Batch Furnace
  • 제품소개
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  • Batch Furnace
특징
1
온도 균일도(Gen.2 Glass~Gen.8 Glass)
  - 기판 내 ±3℃, 기판 간 ±3℃, 챔버 내 ±3℃

2
높은 생산성
  - 생산성 극대화를 위한 세계 최다 기판 장입 설계

3
다양한 공정에 적용 가능
  - LTPS TFT LCD / AMOLED, Oxide TFT LCD/AMOLED Flexible 등의 다양한 공정에 적용 가능

4
열손실 최소화
  - Hot wall type furnace 적용

5
낮은 운용비용
  - 높은 내구성을 갖는 반영구적 부품 사용
적용공정
1
탈수소화 (DeHydrogenation)
  - 우수한 온도균일도, 기판 안정성 제공
  - 수소제거를 통한 Pin-hole 방지
  - 얇은 기판공정에도 기판왜곡현상 없음

2
도펀트 활성화 (Dopant activation)
  - Pattern 편차 최소화 (G-to-G & L-to-L variation)
  - 수축을 감소시키기 위해 글래스 급속 냉각
  - 글래스 휘어짐현상 방지

3
수소화 (Hydrogenation)
  - 수소 주입하여 격자결합 안정화
  - 낮은 전력소비

4
IGZO 열처리 공정
  - 열처리 효율 향상을 위한 수증기 분위기 조성
  - 균일한 수증기 분사를 위한 독자적 노즐 디자인
  - O₂: H₂O 혼합물의 정밀 제어
제품설명
PECVD의 방법으로 증착된 비정질실리콘(a-si)박막은 10~15% 내외의 수소함량을 가진다.
결정화 공정 시 기포생성으로 기판에 손상을 주어 큰 손실을 가져오게 하므로 수소를 이탈시켜 손상을 방지하는 탈수소화 공정에 적용한다.
특징
- H₂ < 1% , 기판훼손 방지
- 짧은 공정시간, 높은 냉각속도
- 고온&고속 공정으로 고생산성
- 온도 균일도 (챔버간, 기판간)
- 고속냉각으로 선수축 제어
- 얇은 기판공정에도 기판왜곡현상 없음
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
적용공정
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED
제품설명
Channel 형성 시 적용되는 Ion Implantation 공정에서 무거운 Dopant의 주입으로 입은 기판손상을 회복하고
불균일하게 분포한 Dopant를 균일하게 배치하면서 누설전류 발생이 없도록 진행해야 하는 예민한 활성화 공정에 적용한다.
특징
- 다중슬롯 기판으로 고생산성
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
- 낮은 전력소비
적용공정
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED
제품설명
이전의 탈수소화 공정에서 수소를 이탈시켜 불안정한 결합을 가진 격자에 다시 수소를 주입시켜
격자결함을 안정화시켜 전기적 특성을 향상시키는 공정에 적용한다.
특징
- 다중슬롯 기판으로 고생산성
- 짧은 공정시간, 높은 냉각속도
- O₂ 농도 제어
- 낮은 전력소비
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
적용공정
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED
제품설명
산화물TFT는 비정질실리콘(a-si) TFT보다 전자이동도가 높고 다결정실리콘(Poly-si) TFT보다 균일도가 높아
차세대 디스플레이로 각광받고 있다. 열처리시 산화물박막 내의 화학적 반응을 통하여 자유전자들이 생성되면서 전기적 특성이 향상되는 산화물 TFT의 제조에 적용한다.
특징
- 열처리 효율 향상을 위한 수증기 분위기 조성
- 균일한 수증기 분사를 위한 독자적 노즐 디자인
- O₂:H₂O 혼합물의 정밀 제어
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
적용공정
- IGZO TFT Active layer 열처리, ESL 열처리, BCE 열처리