Batch Furnace
  • 产品介绍
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  • Batch Furnace
特点
1
温度均一度(Gen.2 Glass~Gen.8 Glass)
  - 基板内 ±3℃, 基板之间 ±3℃, Chamber内部 ±3℃

2
高生产率
  - 为实现生产效率最大化设备设计为世界之最的基板投入构造

3
可适用多种工艺
  - LTPS TFT LCD / AMOLED, Oxide TFT LCD/AMOLED Flexible 等可适用多种工艺

4
热损失最小化
  - 适用 Hot wall type furnace

5
运用成本低
  - 配件使用高度耐久性的半永久性制品
应用工艺
1
去氢 (DeHydrogenation)
  - 可提供优秀的温度均一度及基板的安全性   
  - 通过除氢从而防止产生 Pin-hole
  - 即使超薄基板工艺也不会发生基板变形

2
掺杂剂活化 (Dopant activation)
  - Pattern 偏差最小化 (G-to-G & L-to-L variation)
  - 玻璃急速冷却从而减少收缩率
  - 防止玻璃变形

3
氢化 (Hydrogenation)
  - 加氢使不饱和基因成为饱和基因
  - 消耗功率低

4
IGZO 热处理工艺
  - 营造水蒸汽氛围从而提高热处理效率
  - 独创的管口设计可均匀喷射水蒸汽
  - 精密控制 O₂: H₂O 混合物
产品说明
在PECVD工艺后沉积的非晶质硅膜(a-si)里面有10~15%左右的氢含量.
由于在膜里面的氢含量,进行结晶化工艺时会产生气泡。这种气泡带来在基板上的损伤。
去氢工艺为了避免气泡原因的基板损伤问题,需要去掉在基板上的氢含量
特点
- H, <1%, 可以防止基板损伤
- 工艺时间短, 冷却速度块。
- 通过高温&高速工艺,可以体现高生产率。
- 优秀温度均一度(腔室之间及基板之间)
- 通过高速冷却可以控制预处理
- 虽然使用薄基板玻璃也没有翘曲现象。
- 可以对应大面积基板玻璃(2~8代)
应用工艺
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED
产品说明
Channel形成时需要采用Ion Implantation工艺. 在Ion Implantation工艺当中会产生极板损伤及漏泄电流。(
原因: 注入的Dopant很重及Dopant位置不均一)
为了恢复基板损伤及均一着配置Dopant,需要采用活化工艺。
特点
- 采用多层Slot方式,可以体现高生产率
- 可以对应大面积基板玻璃 (2~8代)
- 消耗电力低
应用工艺
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED
产品说明
由于在上一段的去氢工艺当中去掉氢含量,不稳定在基板里面的点阵排列。
重新再注入氢在基板里,从而提高电器特性及需要稳定点阵排列.
特点
- 采用多层Slot方式,可以体现高生产率
- 工艺时间短,冷却速度高
- 可以控制氧气浓度
- 消耗电力低
- 可以对应大面积基板玻璃 (2~8代)
应用工艺
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED
产品说明
PI特点有高耐热性,电器绝缘性,柔软性,不燃性. 阿波罗11号到月亮时穿着的太空服也同样采用了PI材料。
由于柔性OLED不仅上板而且下板也需要弯曲,只PI材料会满足弯曲的特性。
在玻璃基板上涂布液体PI后通过热处理进行硬化. 然后TFT Array沉积在PI膜上.
还有,制作透明 Polyimide Layer时主要因素为控制氧气浓度到100PPM以下.
通过维持100PPM以下,可以防止氧气原因的变黄现象.
而且, 只有收集在硬化当中发生的Fume才可以制作Poly-imide的柔性基板。
特点
- 平面IR Heater可以各个区域别控制
- 温度均一性优秀
- 独立排出Fume System
- 冷却速度快
- 消耗电力低
应用工艺
- Flexible AMOLED, 电子报刊,Polyimide硬化