Inline RTA
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  • 제품현황
  • Inline RTA
특징
1
온도 균일도 (GEN. 2nd Glass ~ Gen. 8th Glass)
  - 기판 내 ±3℃, 기판 간 ±3℃

2
고온 열처리
  - 기판 안정성 : 휘어짐과 수축율의 최소화
  - 400ppi 이상 고해상도 디스플레이를 위한 열처리

3
다양한 공정의 디자인 가능
  - 챔버별 개별적 온도 제어
  - 챔버별 개별적 이동 제어

4
열손실 최소화
  - Hot wall type furnace 적용

5
낮은 운용비용
  - 높은 내구성을 갖는 반영구적 부품 사용
적용공정
1
선수축 (Pre-compaction) 글래스 수축
  - 선수축 공정시 온도는 RTA(650℃~720℃)에 비교하여 최소 50℃~100℃이상
  - 선수축 공정 냉각시간은 RTA(<20℃/min)와 비교하여 최소 3배의 시간, 속도상으로는 1/3

2
결정화 비정질실리콘에서 결정질로 상변화
  - 고온&빠른 공정으로 Throughput ↑
  - 온도 균일성 : G-to-G, L-to-L, and Ch-to-Ch
  - 급속 냉각 : 수축 제어
  - 얇은 기판 사용에도 왜곡현상 방지

3
도펀트 활성화 (Dopant activation)
  - Pattern 편차 최소화 (G-to-G & L-to-L variation)
  - 수축을 감소시키기 위해 글래스 급속 냉각
  - 글래스 휘어짐현상 방지

4
탈수소화 (DeHydrogenation)
  - 우수한 온도균일도, 기판 안정성 제공
  - 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
  - 얇은 기판공정에도 기판왜곡현상 없음
제품설명
최근 Display는 고품질의 고해상도를 필요로 하고 있다.
해상도가 높을수록 이미지가 깨끗하고 선명하게 보이지만, 그만큼 Pixel의 수는 많아져 Patterning시 허용되는 편차는 미세하다. 따라서, 고해상도 LTPS TFT 생산 시 공정의 시작에 고온의 선수축 공정을 추가함으로써 이후 열처리과정에서 발생하는 기판수축을 방지하고 Pattern 편차를 줄여 고해상도 Display 생산에 적용한다.
특징
- 고온영역 적용 : > 700℃
- 챔버간 우수한 온도균일성
- 얇은 기판공정에도 기판왜곡현상 없음
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
적용공정
- LTPS LCD, LTPS AMOLED
제품설명
PECVD의 방법으로 증착된 비정질실리콘(a-si)박막은 10~15% 내외의 수소함량을 가진다.
이는 결정화 공정 시 기포생성으로 기판에 손상을 주어 큰 손실을 가져오게 하므로
수소를 이탈시켜 손상을 방지하는 탈수소화 공정에 적용한다.
특징
- 우수한 온도균일도, 기판 안정성 제공
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
- 얇은 기판공정에도 기판왜곡현상 없음
적용공정
- LTPS LCD, AMOLED Poly-Si 결정화
- LTPS TFT용 고온 고속 열처리
제품설명
전자이동도가 낮은 비정질실리콘(a-si)을 전자이동도가 높은 다결정실리콘(Poly-si)으로 상변화시킴으로써
빠른 구동속도를 요구하는 고사양 Display에 적용한다.
특징
- 우수한 온도균일도, 기판 안정성 제공
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
- 향상된 열효율과 고온열처리 능력 (750℃)
적용공정
- LTPS LCD, AMOLED Poly-Si 결정화
- LTPS TFT용 고온 고속 열처리
제품설명
Channel 형성 시 적용되는 Ion Implantation 공정에서 무거운 Dopant의 주입으로 입은 기판손상을 회복하고
불균일하게 분포한 Dopant를 균일하게 배치하면서 누설전류 발생이 없도록 진행해야 하는 예민한 활성화 공정에 적용한다.
특징
- 수축감소를 위한 급속 기판냉각
- 대면적 기판 처리 가능 (2~8세대)
- 얇은 기판 사용에도 기판왜곡현상 없음
적용공정
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED