Inline RTA
  • 产品介绍
  • 产品现况
  • Inline RTA
特点
1
温度均匀度(GEN。2nd Glass~Gen。8th Glass)
  - 基板内±3℃,基板间±3℃

2
高温热处理
  - 基板稳定性 :变形及收缩率的最小化
  - 为了400ppi以上高分辨率显示的热处理

3
可设计多种工艺
  - 每个Chamber的独立温度控制
  - 每个Chamber的独立移动控制

4
热损失最少化的设计
  - 应用Hot wall type furnace

5
运营成本低
  - 采用耐用性高及可使用半永久的部件
应用工艺
1
预收缩(Pre-compaction)Glass收缩
  - 预收缩工艺时使用的温度比RTA(650℃~720℃)高50℃~100℃
  - 预收缩工艺冷却时间比RTA(<20℃/min)快3倍,速度上1/3

2
结晶化是非晶硅变为结晶结构的过程
  - 由于高温&快速工艺 Throughput高
  - 温度均匀性 :G-to-G,L-to-L,and Ch-to-Ch
  - 快速冷却 :控制收缩
  - 使用薄基板也可以防止扭曲的现象

3
掺杂剂活化(Dopant activation)
  - Pattern偏差最小化(G-to-G & L-to-L variation)
  - 为了减少Glass的收缩进行急速冷却
  - 防止Glass的变形

4
去氢化(De-Hydrogenation)_氢脱离的工艺
  - 优秀的温度均匀度,提供基板的稳定性
  - 可对应大面积的机板(Gen.2~8)
  - 在薄基板工艺也无机板扭曲的现象
产品说明
最近Display需要高品质的高分辨率。
虽然分辨率越高形象越鲜明但是由于Pixel的数量也增加Patterning时可允许的偏差微细。
因此高分辨率LTPS TFT生产时在工艺的开始追加先收缩可防止以后在热处理过程中发生的机板收缩以及减少Pattern的偏差来适用于高分辨率Display的生产。
特点
- 适用高温领域 :>700℃
- Chamber之间确保优秀的温度均匀性
- 在薄基板工艺也无基板扭曲现象
- 可对应大面积基板(Gen.2~8)
应用工艺
- LTPS LCD, LTPS AMOLED
产品说明
使用PECVD方法沉积的非结晶质硅(a-si)薄膜有10~15%内外的氢含量。
但是结晶化工艺时因为发生气泡给基板损伤以及带来损失所以适用于脱离氢防止损伤的去氢化工艺。
特点
- 优秀的温度均匀性,提供基板的稳定性
- 在薄基板工艺也无基板扭曲现象
- 可对应大面积基板(Gen.2~8)
应用工艺
- LTPS LCD,AMOLED Poly-si结晶化
- LTPS TFT用高温快速热处理
产品说明
把电子移动度低的非结晶质硅(a-si)相变成电子移动度高的多晶硅(Poly-si)。
适用于要求快速驱动的高仕樣Display。
特点
- 优秀的温度均匀性,提供基板的稳定性
- 可对应大面积基板(Gen.2~8)
- 提高的热效率以及高温热处理能力(750℃)
应用工艺
- LTPS LCD,AMOLED Poly-si结晶化
- LTPS TFT用高温快速热处理
产品说明
应用在Channel形成时适用的Ion Implantation工艺回复注入Dopant造成的基板损伤,
并把不均匀的Dopant均匀的排列同时必须无发生漏泄电流的敏感的活化工艺
特点
- 为了减少收缩进行急速基板冷却
- 可对应大面积基板(Gen.2~8)
- 在薄基板工艺也无基板扭曲现象
应用工艺
- LTPS LCD, LTPS AMOLED, Flexible LTPS AMOLED