RTCVD는 대면적 면발광 레이저를 이용한 Si 기반 에피택시 증착 장비로 정밀한 온도 제어와 신속한 온도 조절이 가능하여 높은 생산성으로 최적의 다층 에피막을 증착합니다.
핵심기술
- Precise and rapid temperature modulation by laser heater
- Reliable and particle free wafer rotation by magnetic levitation
- Temperature feed-back systems using direct measurement of emmisivity of the wafer
- In-situ wafer pre-clean technology integrated into the RTCVD system
공정소개
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RTCVD는 CMOS 트랜지스터를 위한 에피택셜 Si 및 SiGe 증착과 3D 로직 GAA 트랜지스터 & 차세대 DRAM인 3D DRAM을 위한 Si/SiGe 다층 에피택셜 박막을 증착합니다. 특히 Viatron RTCVD는 Si과 SiGe의 급속한 온도 변화를 통해 생산성 높은 Si/SiGe 적층 에피증착을 구현합니다.
SPEC
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Thickness non-uniformity : < 2%
Deposition temperature non-uniformity : < 0.2%
High UPH
적용분야
Logic : source-drain, channel and contact for FinFET and GAA
DRAM : peri-channel, contact for CMOS transistor and 3D DRAM